2016年12月，半导体分公司研制成功 1700V/1200A SiC JBS二极管混合IGBT模块，成功的完成了SiC JBS二极管与Si IGBT的混封封装。
SiC JBS二极管混合IGBT模块相对于传统IGBT模块，具有模块开通时电流过冲及电压过冲小的特点，使得模块的实际使用电流、电压提高，对于同规格的变流柜，可减少IGBT模块的数量，使得整体成本降低，同时，使得IGBT混合模块可是实现更高的开关频率。
目前，仅有英飞凌、ABB、三菱、富士电机等少数几家国际知名企业掌握有该产品的封装设计制造技术。该产品的研制成功填补了我国在IGBT混合模块领域的空白。